필기용 블로그

○Disk

 ▷마그네틱 코팅이 된 원판를 이용하여 정보를 기록하는 장치

 ▶구성

  ▶Platter: 마그네틱 코팅된 원판, 표면에 정보를 기록함

   ▷surface: platter의 표면, Platter 하나당 2개의 surface (앞,뒤)

   ▷track: surface를 구성하는 ring

   ▷sector: track을 gap단위로 나눈 것.

  ▷Spindle: 원판을 회전시킴

  ▷Arm: 판에서 정보를 읽어들임.

 ▶용량: 최대로 저장 가능한 비트 수

  ▷Capacity = (bytes/sector) × (avg. sectors/track) × (tracks/surface) × (surface/platter) × (platter/disk)

  ▷Recording density (bits/in) : track의 1인치 segment에 저장 가능한 비트 수

  ▷Track density (tracks/in) : 1인치 radial segment에 있는 track 수

  ▷Areal density (bits/in^2) : 위 2개의 density의 곱

 ▶Disk Access

  ▶T_access = T_avg seek + T_avg rotation + T_avg transfer

   ▷Seek Time: head를 해당 sector가 있는 track으로 옮기는데 걸리는 시간 (3~9 ms)

   ▷Rotational latency: head가 해당 sector의 first bit를 찾을 때 까지 회전하는데 걸리는 시간 (4ms)

   ▷Transfer Time: 해당 sector에서 정보를 읽는데 걸리는 시간 (0.02ms)

  ▷Seek Time이 가장 큼 -> Seek 횟수를 줄이는 것이 목표

  ▷처음 비트를 찾은 이후 다음 비트들은 비용이 거의 들지않음.

  ▷Disk 는 SRAM에 비해 약 4만배, DRAM에 비해 약 2천5백배 느림.

 ▶Logical Block

  ▷sector를 b-size Block으로 추상화 한 것.

  ▷Logical Block - Sector간의 Mapping 필요

 ▶Disk Read

  ▶Logical Block

   ▷sector를 b-size Block으로 추상화 한 것.

   ▷Logical Block - Sector간의 Mapping 필요

  ▷command, logical block number, destination memory address(DMA)를 port에 입력

  ▷DMA 전달이 끝나면, 컨트롤러가 CPU에 전송이 끝났음을 알림. (interrupt)

○Memory R/W

 ▷Bus: 주소, 데이터, Control 신호를 옮기는 Wire들.

 ▷다양한 device가 공유한다.

 ▶읽기

  ▷읽을 주소 A를 메모리 버스에 놓는다.

  ▷메인 메모리가 메모리 버스에서 A를 읽고 A에 있는 값 x를 메모리 버스에 놓는다.

  ▷CPU가 버스에서 x를 읽어들여 레지스터에 복사시킨다.

 ▶쓰기

  ▷CPU가 쓸 주소 A를 버스에 위치시킨다. 메인 메모리는 이를 받고, 여기에 넣을 값을 기다린다.

  ▷CPU가 쓸 값 y를 버스에 위치시킨다. 

  ▷메모리가 버스에서 y를 읽고, 이를 위치 A에 저장한다.

○Nonvolatile Memory

 ▷전원이 꺼져도 전원을 유지하는 메모리들

 ▶ROM (Read-only memory)

  ▷읽기만 가능

  ▷생산 단계에서 프로그램됨.

  ▷Firmware (BIOS, 다양한 기기의 controller)

 ▶PROM (Programmable ROM)

  ▷단 한번 프로그램 가능한 ROM

 ▶EPROM (Eraseable PROM)

  ▷전체를 지울 수 있는 PROM (X-Ray, UV)

 ▶EEPROM (Electrically eraseable PROM)

  ▷전기를 통해 지울 수 있는 EPROM

 ▶Flash memory

  ▷부분 삭제가 가능한 EEPROMs

  ▷100,000번 지우면 수명을 다한다.

 ▶3D XPoint

  ▷차세대 Nonvolatile memory

  ▷비휘발성과 높은성능

○RAM (Random-Access Memory)

 ▷Packaged된 Chip들의 묶음으로 구성됨

 ▷기본 저장 단위: cell (1bit 저장 가능)

 ▷Volatile memory: 전원이 꺼지면 정보를 잃음. (휘발성)

 ▶SRAM (Static RAM)

  ▷기억 장치에 전원이 공급되는 한 내용이 보존되는 RAM

 ▶DRAM

  ▷비트를 각기 분리된 축전기에 저장하는 RAM

  ▷누전이 일어나기 때문에, 일정 시간마다 재생시켜줘야 한다.

  ▶Enhanced DRAM

   ▷SDRAM: 비동기적 컨트롤 대신 양식화된 Clock signal을 사용함, 하위 주소의 재사용을 허용

   ▶DDR SDRAM

    ▷Double edge clocking -> 2비트씩 전달

    ▷DDR (2 bit), DDR2 (4 bits), DDR3 (8 bits) DDR4 (16 bits)

    ▷Intel core i7 -> DDR3, DDR4 지원

○Inner class

 ▷class 내부에서 정의된 다른 class

 ▷내부에서만 사용되는 class인경우 사용

 ▶Ordinary Inner class

  ▷일반적인 Innner class

  ▷private, public등 정의 가능

  ▷자신을 감싼 Class의 private에 바로 접근 가능 (outer의 reference를 가짐)

 ▶Local Inner class

  ▷Inner class가 method 내부에 정의된 것.

  ▷자신을 감싼 Class의 private에 바로 접근 가능 (outer의 reference를 가짐)

  ▷method의 final인 local variable / argument에 접근 가능

 ▶Anonymous Inner Class

  ▷Local Inner class를 이름 없이 정의 가능

  ▷Class의 선언과 객체의 생성을 동시에 한다.

  ▷부모 클래스 / 구현하는 인터페이스의 이름을 사용해서 정의한다.

  ▶Lambda Expression 이용

   ▷( ) 안에 매개변수

   ▷-> { } 안에 함수 Body